Получайте скидку 1% с суммы заказа 🛍
Условия обработки Ваших персональных данных для рассылок Ваши права, связанные с обработкой, механизм их реализации, последствия дачи согласия или отказа
SSD Samsung 9100 Pro 1TB MZ-VAP1T0BW
код товара: 1440168
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Samsung Presto S4LY027, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14700/13300 МБайт/с, случайный доступ: 1850000/2600000 IOps, совместимость с PS5
Получите железные бонусы! Персональная скидка 5% на товары в корзине и кешбэк 100% на сборку.
Узнайте подробности акции.
Перейти к акции
В наличии
900.00
1 038.49
Купить
Рассрочка / кредит от 28,68р/мес
Рассрочка и кредит
Акционная цена доступна при условии наличного расчета. При оплате любыми картами рассрочки скидки не действуют. Вид рассрочки выбирается на этапе оформления заказа.
Показать еще 1 вариант рассрочки
С этим товаром покупают
Характеристики Отзывы
Характеристики
| Раздел | SSD |
| Производитель | SAMSUNG |
| Общая информация | |
| Дата выхода на рынок | 2025 г. |
| Основные | |
| Объём | 1 ТБ |
| Контроллер | Samsung Presto S4LY027 |
| Интерфейс | PCI Express 5.0 x4 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Форм-фактор | M.2 |
| Ресурс записи | 600 TBW |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Версия NVMe | 2.0 |
| Технические характеристики | |
| Скорость последовательного чтения | 14700 Мбайт/с |
| Толщина | 2.38 мм |
| Энергопотребление (ожидание) | 4 Вт |
| Средняя скорость случайной записи | 2600000 IOps |
| Скорость последовательной записи | 13300 Мбайт/с |
| Аппаратное шифрование | AES 256bit |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 ч |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 7.6 Вт |
| Средняя скорость случайного чтения | 1850000 IOps |
| Охлаждение | нет |
| Подсветка | нет |
| DRAM-буфер | есть |
| Совместимость с PS5 | есть |
| Комплектация | |
| Тип поставки | RTL (Retail) |
Все характеристики
Инструкции
Мы не успели опубликовать инструкцию на сайте, но можем отправить ее на почту. Просто нажмите на кнопку ниже. Войдите в профиль, чтобы запросить инструкцию СертификатПроизводитель SAMSUNG: Самсунг Электроникс Компани, ЛТД. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея
Сервисный центр: ОДО "БРСЦ Аспирс", г. Минск, пр-т Независимости, д. 123, к. 3
Импортер в РБ: ООО "Электросервис и Ко", г. Минск, ул. Чернышевского, 10А, ком 412А3, ООО "Триовист", 220020, г. Минск, ПОБЕДИТЕЛЕЙ пр., дом № 100, офис 203, ООО "АйТи Дистрибуция", Минский район, Боровлянский сельсовет, 103/3-7, пом. 7-50, район д. Дроздово
Полезная информация
Главное из отзывов
Сгенерировано ИИ на основе открытых источников
Samsung 9100 Pro 1TB MZ-VAP1T0BW — это SSD формата M.2 2280 с интерфейсом PCIe 5.0 x4 и NVMe 2.0, рассчитанный на высокую производительность в современных ПК. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 14 700–14 800 МБ/с, а записи — 13 300–13 400 МБ/с, что делает модель заметно быстрее накопителей предыдущего поколения. Версия на 1 ТБ использует память Samsung V-NAND TLC, поддерживает TRIM, имеет ресурс 600 TBW и 5-летнюю ограниченную гарантию. Указана также высокая энергоэффективность и среднее энергопотребление 7,6 Вт при чтении и 7,2 Вт при записи.
- Покупатели чаще всего отмечают очень высокую скорость работы и ощущение «экстремальной» производительности. В отзывах хвалят быструю загрузку системы, стабильную работу и соответствие заявленным характеристикам.
- Отдельно отмечают хорошую совместимость с современными платами и положительный опыт использования под радиаторами или штатным охлаждением. Некоторые пользователи пишут, что диск работает без проблем и действительно оправдывает ожидания по скорости.
Недостатки: Главный минус, который повторяется в отзывах, — высокая цена. Также часть покупателей указывает на заметный нагрев под нагрузкой, особенно без хорошего охлаждения.
Уже приобрели данный товар?
Поделитесь своим мнением. Это поможет другим посетителям сделать свой выбор.
Оставить отзыв
Похожие товары
922 50
1 062,40
2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Realtek RTS5766DL, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2400/1800 МБайт/с, случайный доступ: 200000/150000 IOps
1 077 30
1 308,55
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6000/5000 МБайт/с, SLC-кэш, совместимость с PS5
629 21
762,72
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/4700 МБайт/с, SLC, совместимость с PS5
1 037 90
1 260,69
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7000/5400 МБайт/с, SLC, совместимость с PS5
701 08
851,57
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 7400/6000 МБайт/с, совместимость с PS5
719 16
873,53
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6000 MBps, случайный доступ: 730000/610000 IOps, совместимость с PS5
1 065 03
1 222,37
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 МБайт/с, SLC-кэш
1 054 71
1 262,22
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, SLC-кэш, совместимость с PS5
663 23
805,13
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/5500 MBps, случайный доступ: 350000/720000 IOps
783 87
952,13
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2508, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14000/10000 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1650000 IOps, совместимость с PS5
777 87
944,84
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2508, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14000/10000 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1650000 IOps, совместимость с PS5
1 062 66
1 231,76
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 2400/1800 МБайт/с
639 40
776,65
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4700/2800 МБайт/с
825 37
994,04
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, последовательный доступ: 10400/8600 МБайт/с, случайный доступ: 1300000/1500000 IOps, совместимость с PS5
638 14
775,12
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5013-E13, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/2000 MBps
1 123 37
1 334,30
2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps
783 58
946,54
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6000 МБайт/с, случайный доступ: 750000/1000000 IOps, совместимость с PS5
644 41
765,33
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3600/3000 МБайт/с, случайный доступ: 430000/740000 IOps, SLC-кэш
675 11
820,02
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6000 МБайт/с, случайный доступ: 750000/1000000 IOps, совместимость с PS5
703 27
850,92
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 750000/750000 IOps
681 86
828,22
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 750000/750000 IOps
1 089 36
1 323,20
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/500 MBps
1 062 94
1 232,99
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2269XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4500 МБайт/с
738 62
1 ТБ, M.2 2230, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5027-E27T, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 7100/6000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1200000 IOps, SLC-кэш, совместимость с PS5
726 71
882,70
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5027-E27T, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 7100/6000 МБайт/с, совместимость с PS5
739 42
898,14
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison S5031-E31T, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 11000/9500 МБайт/с, случайный доступ: 1500000/1500000 IOps, совместимость с PS5
880 72
1 069,77
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison S5031-E31T, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 11000/9500 МБайт/с, случайный доступ: 1500000/1500000 IOps, совместимость с PS5
953 78
1 158,51
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5025-E25, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6800 МБайт/с, совместимость с PS5
772 60
854,57
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5025-E25, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7200/5700 МБайт/с, случайный доступ: 800000/1390000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
927 11
1 126,12
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 13600/10200 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1750000 IOps
647 12
750,86
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3400/3000 МБайт/с, случайный доступ: 360000/280000 IOps
826 99
1 004,51
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/460 МБайт/с
Недавно просмотренные
Бонусные баллы на следующие покупки.
Бонусы начисляются в соответствии с правилами Программы лояльности и зависят от Вашего статуса в ней.
24/7оформляйте онлайн
14 летрадуем вас
100 791товаров в наличии
6 600отличных отзывов
Будьте в курсе новых скидок и промокодов на технику
и товары для дома
и товары для дома
Ознакомьтесь, пожалуйста, до дачи согласия :