SSD Samsung 990 Pro с радиатором 1TB MZ-V9P1T0GW
код товара: 1332655
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
Закажи услугу сборки ПК - получи скидку! персональная скидка 5% на товары в корзине
Перейти к акции
Под заказ
от 5 дней Срок поставки приблизительный.
Операторы колл-центра сообщат более подробную информацию
Операторы колл-центра сообщат более подробную информацию
60810
68977
Купить
Рассрочка / кредит от 19,05р/мес
Рассрочка и кредит
Акционная цена доступна при условии наличного расчета. Вид рассрочки выбирается на этапе оформления заказа.
Показать еще 2 варианта рассрочки
Производитель SAMSUNG: Самсунг Электроникс Компани, ЛТД. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея
Сервисный центр: ОДО "БРСЦ Аспирс", г. Минск, пр-т Независимости, д. 123, к. 3
Импортер в РБ: ЗАО Патио 220005, г. Минск, пр. Независимости, дом № 58, офис 301; Тотлер Плюс ООО, Минский р-н, Щомыслицкий с/с, направление ТЭЦ-4, 3-й пер. Монтажников, дом № 3-16, помещение 11; Дансис ОДО, 220026, г.Минск, ул.Жилуновича, 11, оф.314
С этим товаром покупают
Характеристики Отзывы
Характеристики
Раздел | SSD |
Производитель | SAMSUNG |
Общая информация | |
Дата выхода на рынок | 2023 г. |
Основные | |
Объём | 1 ТБ |
Интерфейс | PCI Express 4.0 x4 |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Форм-фактор | M.2 |
Ресурс записи | 600 TBW |
Размеры устройств M.2 | 2280 |
Технические характеристики | |
Скорость последовательного чтения | 7450 Мбайт/с |
Толщина | 8.2 мм |
Энергопотребление (ожидание) | 0.05 Вт |
Средняя скорость случайной записи | 1550000 IOps |
Скорость последовательной записи | 6900 Мбайт/с |
Аппаратное шифрование | AES 256bit |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 ч |
Энергопотребление (чтение/запись) | 5.4 Вт |
Средняя скорость случайного чтения | 1200000 IOps |
Охлаждение | есть |
Подсветка | нет |
Совместимость с PS5 | есть |
Кэш | DRAM-буфер |
Объем DRAM-буфера | 1024 МБ |
Комплектация | |
Комплект поставки | ПО samsung magician для управления ssd |
Адаптер 3.5" | нет |
Вариант поставки | розничная |
Все характеристики
Поскольку мы не можем гарантировать 100%-ную точность и полноту описаний товаров, во время заказа, ОБЯЗАТЕЛЬНО уточняйте у менеджера магазина важные для вас параметры.
Инструкции
Мы не успели опубликовать инструкцию на сайте, но можем отправить ее на почту. Просто нажмите на кнопку ниже.
Запросить инструкцию
Полезная информация
Уже приобрели данный товар
Поделитесь своим мнением. Это поможет другим посетителям сделать свой выбор.
Оставить отзыв
Похожие товары
340 85
406,70
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2262ENG, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3400/3000 МБайт/с, случайный доступ: 337000/369000 IOps, DRAM-буфер
528 34
630,42
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1600 МБайт/с, случайный доступ: 130000/280000 IOps
492 97
588,21
2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Realtek RTS5766DL, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2400/1800 МБайт/с, случайный доступ: 200000/150000 IOps
493 14
588,42
2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2800 Мбит/с
582 60
695,16
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2800 МБайт/с, случайный доступ: 290000/415000 IOps, SLC-кэш
550 57
656,94
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SMI2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4500 MBps, случайный доступ: 400000/550000 IOps, совместимость с PS5
501 63
591,71
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7000/5400 МБайт/с, SLC, совместимость с PS5
397 71
474,55
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6000 MBps, случайный доступ: 730000/610000 IOps, совместимость с PS5
682 19
813,99
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 MBps, случайный доступ: 750000/630000 IOps, совместимость с PS5
380 93
454,53
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6000 Мбит/с, случайный доступ: 730000/610000 IOps, совместимость с PS5
663 27
791,42
2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 Мбит/с, случайный доступ: 750000/630000 IOps, совместимость с PS5
785 22
936,93
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 9500/8500 МБайт/с, случайный доступ: 1300000/1400000 IOps, DRAM-буфер
517 77
582,24
2.5", SATA 3.0, контроллер Maxio MAS0902A-B2C, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/65000 IOps
512 35
611,34
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2800 МБайт/с
500 90
597,68
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, SLC-кэш, совместимость с PS5
355 75
424,48
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/5500 MBps, случайный доступ: 350000/720000 IOps
617 50
736,80
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6400 MBps, случайный доступ: 650000/740000 IOps
344 02
404,08
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/1800 MBps, случайный доступ: 160000/190000 IOps
415 23
471,38
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с
476 81
565,21
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 2400/1800 МБайт/с
513 13
612,27
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5200/4700 МБайт/с
364 40
427,26
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/5200 МБайт/с, совместимость с PS5
627 18
748,35
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6700 МБайт/с, DRAM-буфер
341 20
407,12
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2269XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5300/4800 МБайт/с
597 20
699,76
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2269XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4600/5100 МБайт/с
442 97
528,55
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 700000/680000 IOps
493 69
553,12
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 700000/680000 IOps
508 57
606,83
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 700000/680000 IOps
445 19
531,20
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps
460 67
549,67
2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps
24/7оформляйте онлайн
10 летрадуем вас
135 700товаров в наличии
6 600отличных отзывов
Будьте в курсе новых скидок и промокодов на технику
и товары для дома
Нажимая кнопку “Подписаться”, вы соглашаетесь с условиями публичной оферты и обработкой персональных данных
и товары для дома