Получайте скидку 1% с суммы заказа 🛍
SSD Samsung 990 Pro с радиатором 1TB MZ-V9P1T0CW
код товара: 1130313
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
Закажи услугу сборки ПК - получи скидку! персональная скидка 5% на товары в корзине
Перейти к акции
Под заказ
от 5 дней Срок поставки приблизительный.
Операторы колл-центра сообщат более подробную информацию
Операторы колл-центра сообщат более подробную информацию
54553
65093
Купить
Рассрочка / кредит от 17,98р/мес
Рассрочка и кредит
Акционная цена доступна при условии наличного расчета. Вид рассрочки выбирается на этапе оформления заказа.
Показать еще 2 варианта рассрочки
Артикул: MZ-V9P1T0CW
Производитель SAMSUNG: Самсунг Электроникс Компани, ЛТД. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея
Сервисный центр: ОДО "БРСЦ Аспирс", г. Минск, пр-т Независимости, д. 123, к. 3
Импортер в РБ: ЗАО Патио 220005, г. Минск, пр. Независимости, дом № 58, офис 301; Тотлер Плюс ООО, Минский р-н, Щомыслицкий с/с, направление ТЭЦ-4, 3-й пер. Монтажников, дом № 3-16, помещение 11; Дансис ОДО, 220026, г.Минск, ул.Жилуновича, 11, оф.314
С этим товаром покупают
Характеристики Отзывы
Характеристики
| Раздел | SSD |
| Производитель | SAMSUNG |
| Общая информация | |
| Дата выхода на рынок | 2022 г. |
| Основные | |
| Объём | 1 ТБ |
| Интерфейс | PCI Express 4.0 x4 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Форм-фактор | M.2 |
| Ресурс записи | 600 TBW |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Технические характеристики | |
| Скорость последовательного чтения | 7450 МБайт/с |
| Толщина | 8.2 мм |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.05 Вт |
| Средняя скорость случайной записи | 1550000 IOps |
| Скорость последовательной записи | 6900 МБайт/с |
| Аппаратное шифрование | AES 256bit |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 ч |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 5.4 Вт |
| Средняя скорость случайного чтения | 1200000 IOps |
| Охлаждение | есть |
| Подсветка | нет |
| Совместимость с PS5 | есть |
| Кэш | DRAM-буфер |
| Объем DRAM-буфера | 1024 МБ |
| Комплектация | |
| Комплект поставки | ПО samsung magician для управления ssd |
| Адаптер 3.5" | нет |
| Вариант поставки | розничная |
Все характеристики
Инструкции
Мы не успели опубликовать инструкцию на сайте, но можем отправить ее на почту. Просто нажмите на кнопку ниже.
Запросить инструкцию
Полезная информация
Уже приобрели данный товар
Поделитесь своим мнением. Это поможет другим посетителям сделать свой выбор.
Оставить отзыв
Похожие товары
340 93
406,80
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2262ENG, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3400/3000 МБайт/с, случайный доступ: 337000/369000 IOps, DRAM-буфер
304 01
362,75
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1600 МБайт/с, случайный доступ: 130000/280000 IOps, SLC-кэш
523 09
624,15
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1600 МБайт/с, случайный доступ: 130000/280000 IOps
460 59
549,58
2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Realtek RTS5766DL, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2400/1800 МБайт/с, случайный доступ: 200000/150000 IOps
302 88
361,40
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2200 Мбит/с
499
595,41
2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2800 Мбит/с
580 90
693,13
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2800 МБайт/с, случайный доступ: 290000/415000 IOps, SLC-кэш
321 19
383,25
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SMI2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4500 MBps, случайный доступ: 400000/550000 IOps, совместимость с PS5
553 35
647,83
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SMI2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4500 MBps, случайный доступ: 400000/550000 IOps, совместимость с PS5
501 68
582,64
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7000/5400 МБайт/с, SLC, совместимость с PS5
393 26
469,24
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6000 MBps, случайный доступ: 730000/610000 IOps, совместимость с PS5
654 10
780,47
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 MBps, случайный доступ: 750000/630000 IOps, совместимость с PS5
379 82
453,20
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6000 Мбит/с, случайный доступ: 730000/610000 IOps, совместимость с PS5
627 21
748,39
2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 Мбит/с, случайный доступ: 750000/630000 IOps, совместимость с PS5
785 41
937,15
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 9500/8500 МБайт/с, случайный доступ: 1300000/1400000 IOps, DRAM-буфер
521 62
622,40
2.5", SATA 3.0, контроллер Maxio MAS0902A-B2C, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/65000 IOps
503 50
600,78
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2800 МБайт/с
493 97
589,41
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, SLC-кэш, совместимость с PS5
340 28
406,02
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/5500 MBps, случайный доступ: 350000/720000 IOps
584 44
695,83
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6400 MBps, случайный доступ: 650000/740000 IOps
344 11
407,33
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/1800 MBps, случайный доступ: 160000/190000 IOps
415 27
482,51
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с
526 87
628,66
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 2400/1800 МБайт/с
515 44
615,02
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5200/4700 МБайт/с
364 40
428,91
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/5200 МБайт/с, совместимость с PS5
629 94
751,65
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6700 МБайт/с, DRAM-буфер
340 87
404,80
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2269XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5300/4800 МБайт/с
597 26
697,41
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2269XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4600/5100 МБайт/с
439 12
523,96
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 700000/680000 IOps
493 71
551,85
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 700000/680000 IOps
24/7оформляйте онлайн
10 летрадуем вас
135 700товаров в наличии
6 600отличных отзывов
Будьте в курсе новых скидок и промокодов на технику
и товары для дома
Нажимая кнопку “Подписаться”, вы соглашаетесь с условиями публичной оферты и обработкой персональных данных
и товары для дома