Оперативная память QUMO

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-30, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 400 МГц, CL 2T, напряжение 2.6 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.8 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В